【尼崎／WEB面接可】パワー半導体デバイス（SiC）に関する研究開発【先端技術総合研究所】

最寄駅

JR福知山線 猪名寺駅から徒歩15分

業務内容

【採用背景】
環境意識の高まりを受け、カーボンニュートラルの実現に向けたパワーエレクトロニクス機器の省エネ化が求められています。Si、SiCなどを用いたパワー半導体デバイスはパワーエレクトロニクス機器のいわば心臓であり、省エネ化のキーとなる技術です。弊社はパワーデバイス分野で長い歴史を有しており、特にSiCデバイスでは鉄道向けモジュールをはじめいち早く製品を生み出してきました。今後のパワーデバイス技術のさらなる進化に向け、研究開発分野で長く活躍していただける人材を募集します。

【組織のミッション】
▼先進パワーデバイス技術部
Si、SiCをはじめとするパワーデバイスの研究開発を通じてパワーエレクトロニクス技術の発展を担い、広く社会に貢献する。

▼素子実証グループ
デバイス製造の上流にあたるSiC結晶の評価やエピタキシャル成長技術の開発と、下流にあたるパワーデバイスの評価、解析、信頼性検証に関する研究開発を行うことで、パワーデバイス技術をより進化させていく。また、開発した技術をパワーデバイス製作所を通じて広く世の中に展開する。

【職務内容】
SiCデバイス（MOSFET／Diode）技術に関する研究開発を担っていただきます。評価や解析を中心に担当し、パワーデバイス製作所（伊丹／福岡／熊本）への報告も実施していただきます。

【具体的には】
▼具体的な職務は以下になります。
・SiC結晶品質向上（基板評価およびエピタキシャル成長技術の開発）
・SiC-MOSFETの信頼性検証
・パワーモジュールの耐環境信頼性検証
いずれも単独ではなくチームでの職務となります。弊課だけではなく、デバイス構造を担当する課やモジュールを担当する課と連携して職務にあたっていただきます。

勤務地は先端技術総合研究所（尼崎市）が主になります。出社勤務と在宅勤務のハイブリッドが可能です。
パワーデバイス製作所（伊丹市／福岡市／熊本県合志市）への報告や折衝も担当していただきます。
開発技術の社外発表（国際学会）もお願いする場合があります。

【業務の魅力】
研究や技術開発が主の業務となりますが、パワーデバイス製作所をはじめとした製品を扱う事業所とも深く関わりながら業務を遂行します。数年かけて開発した技術を世界に向けて発表することや、製作所と協力しながら製品化への課題を解決していくことは大きなやりがいを感じていただけると思います。

【事業／製品の強み】
弊社はSiCデバイスに関して早い時期から研究開発を進め世界初となる鉄道営業車両への適用を行うなど、パワーデバイス業界を技術面でリードする立場にあります。パワーデバイス、パワーモジュールは昨今注目を集めている分野であり国内外の各社の競争が激化する中で、弊社は国内トップクラス、グローバルでも高いシェアを有しています。

【職場環境】
残業時間：月平均20時間
出張：有（年に数回程度／個人による）
転勤可能性：有（個人の適性による）
（※個人によりますため、詳細は面談の中で適宜ご説明差し上げます。）
リモートワーク：有（制限は特になし／頻度は応相談）
（※当社制度対象に該当し、上長の許可を得た場合）
中途社員の割合：約10%

【想定されるキャリアパス】
入社後は当面の間前述の業務を担当していただきます。数年後の状況を見てチームリーダーとして活躍いただくことを考えていますが、本人の希望を踏まえた柔軟な対応が可能です。

【使用言語、環境、ツール、資格等】
日常的には日本語が主になりますが、国際学会での発表や情報収集などで英語を使用します。
必須となるツールや資格は特にありませんが、プログラミングのスキルがあると業務上有利です。

応募条件

【必須】
半導体に関する基礎的な知識（理論、電気特性など）をお持ちの方

【歓迎】
▼下記に関する知識、経験をお持ちの方
・半導体デバイスの信頼性検証技術
・結晶欠陥評価技術およびエピタキシャル成長技術
・半導体デバイス設計技術およびプロセス技術
・パワーエレクトロニクス機器の設計技術

【求める人物像】
・活気があり、周囲と協調しながら職務を遂行できる方
・課題の本質を捉える洞察力があり解決策の提案ができる方
・主体的に活動できる方

こだわりポイント

即日スタート、経験者優遇、在宅勤務、10時以降出社OK、フレックスタイム制、週休2日制、土日祝日休み、交通費支給、社会保険完備、家族手当、退職金制度、その他特別制度あり

受動喫煙防止情報

屋内受動喫煙対策：対策あり

喫煙対策：禁煙

喫煙に対する特記事項：無

案件番号

501162159